• SI4435DDY-T1-GE3 简介：
厂家：
• 描述：MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
• 制造商：Vishay
• 产品种类：MOSFET
• 晶体管极性：P-Channel
• 汲极/源极击穿电压：30 V
• 闸/源击穿电压：+/- 20 V
• 漏极连续电流：8.1 A
• 电阻汲极/源极 RDS（导通）：24 mOhms
• 配置：Single Quad Drain Triple Source
• 最大工作温度：+ 150 C
• 安装风格：SMD/SMT
• 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
• 下降时间：12 ns, 16 ns
• 最小工作温度：- 55 C
• 功率耗散：2500 mW
• 上升时间：8 ns, 35 ns
• 工厂包装数量：2500
• 典型关闭延迟时间：45 ns, 40 ns
• 零件号别名：SI4435DDY-GE3
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