STB3NK60Z ST/意法 N沟道 MOS管 600V2.4A TO263 晶体管

制造商： STMicroelectronics 最小包装量： 1PCS

封装： D2PAK 包装： Tape&Reel

类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合

产品描述： MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK

参数 数值

功率 - 最大值 45W

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 311pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 11.8nC @ 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 50µA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V

FET 功能 Standard

FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 2.4A (Tc)

漏源极电压 (Vdss) 600V

一般信息

数据列表 STx3NK60Z(-1,FP);

标准包装 1,000

包装 标准卷带

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 SuperMESH™

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 311pF @ 25V

Vgs（最大值） ±30V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 45W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

联系方式 ：

企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司

企业网站：www.xjsic.com

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