HY27US08561A-TPCB深圳市力通伟业半导体有限公司

2017-6-6 14:06:00
  • Hynix HY27US08561A-TPCB 闪存, 256Mbit (32M x 8 位), 串行接口, 12000ns, 2.7 → 3.6 V, 48针 TSOP封装

Hynix HY27US08561A-TPCB 闪存, 256Mbit (32M x 8 位), 串行接口, 12000ns, 2.7 → 3.6 V, 48针 TSOP封装

闪存存储器,Hynix

快闪存储器

闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

产品技术参数

存储器大小 256Mbit

接口类型 串行

封装类型 TSOP

引脚数目 48

组织 32M x 8 位

安装类型 表面贴装

单元类型 NAND

最小工作电源电压 2.7 V

最大工作电源电压 3.6 V

块组织 对称

长度 18.5mm

高度 1.03mm

宽度 12.12mm

尺寸 18.5 x 12.12 x 1.03mm

最高工作温度 +70 °C

最低工作温度 0 °C

每字组的位元数目 8Bit

最长随机存取时间 12000ns

字组数目 32M

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