制造商： Fairchild Semiconductor 最小包装量： 800PCS

封装： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 包装： Tape & Reel (TR)

类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合

产品描述： MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

参数 数值

系列 PowerTrench®

封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

功率 - 最大值 254W

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 12200pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 235nC @ 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.9 mOhm @ 80A, 10V

FET 功能 Logic Level Gate

FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

漏源极电压 (Vdss) 40V

一般信息

数据列表 FDB8442_F085;

标准包装 800

包装 标准卷带

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 汽车级，AEC-Q101，PowerTrench®

其它名称 FDB8442_F085TR

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 235nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12200pF @ 25V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 254W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D²PAK（TO-263AB）

封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

联系方式 ：

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