厂商

ADVANCED MICRO DEVICES

功能描述

512K×8的FLASH 5V胎膜早破,120纳秒,PDIP32

规格参数

出厂包装说明 PLASTIC, MO-015AP, DIP-32

状态 已转移

技术 CMOS

包装形状 矩形

封装形式 In-line

终端形式 通孔

端子间距 2.54 mm

终端涂层 铅锡

终端位置 双

功能数量 1

端子数 32

包主体材料 塑料/环氧树脂

温度等级 商用

内存宽度 8

组织 512K X 8

存储密度 4.19E6 deg

操作模式 异步

字数 524288 Words

字数代码 512K

最大工作温度 70℃

最小工作温度 0.0℃

电源电压 - 最大（Vsup） 5.5 V

电源电压最小值（Vsup） 4.5 V

电源电压标称值（Vsup） 5 V

记忆体IC型号 Flash 5V PROM

并行/串行 并行

访问时间 - 最大（TACC） 120 ns

深圳市齐禾电子有限公司

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