我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别工作性质：

1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。

2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。

3、功耗问题：三极管损耗大。OV3632-VL5A

OV3640-V56A-2D

OV430

OV511+

OV5116 wafer

OV518+

OV519

OV538

OV528-BT/BB10

OV529-B49G

OV529-B64G

OV529-LB30

OV539-T64G

OV550-B49

OV5610B

OV5620-C48A (C03A)

OV5623-G00A

OV5633 CLCC

OV5642-A63A

OV5647-G04A

OV5650

OV5653-A66A

OV5656-A56A

OV570

OV620-B64

OV651

OV6630

OV6680-V23A

OV6690-A20A

OV681

OV6910

OV6920-V09N

OV6930-A08A

OV7148

OV7161

OV7221-F00V

OV7221-V28A

OV7411

OV7461-E62A

OV7620

4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。

MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管

实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。

但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。