INA101的TO-100金属封装电路

2013-10-26 16:08:00
  • 相关元件pdf下载:ina101 如图所示为ina101的to-100金属封装电路。如果在噪声或是高阻电源供电的应用场合,应加电源去耦电容,且在pcb板上电源去耦电容应尽可能靠近芯片引脚。放大器增益由外电路rg电阻决定,g=1+40kω/rg。参

相关元件pdf下载:ina101 如图所示为ina101的to-100金属封装电路。如果在噪声或是高阻电源供电的应用场合,应加电源去耦电容,且在pcb板上电源去耦电容应尽可能靠近芯片引脚。放大器增益由外电路rg电阻决定,g=1+40kω/rg。参考公共端(地)必须低阻连接,以确保有良好的共模抑制特性。如果存在有一个0.1ω串联电阻,将造成共模抑制比降低(低于106db)。电阻rg的稳定性和温度漂移对放大器工作的影响很大,要注意选取性能稳定的电阻。如果需要高增益,则rg取值将减小(可从公式看出),这时连线电阻和插座的接触电阻对放大器的影响就突出出来了。要注意减小这些电阻,以减小放大器的误差,保证放大器能够稳定工作。v0=g(e1-e2)。