标准包装：30

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：MegaMOS™

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

漏极至源极电压(Vdss)：500V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 12A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：210nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：4200pF @ 25V

功率 - 最大：260W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3 整包

供应商设备封装：TO-247AD

深圳市飞扬世纪科技有限公司 吴亮：18098949962