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IRF121	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF121	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF121	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF121	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF121	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF121	文件：213.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF121	文件：68.22 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.2A,80Vand100V,0.27and0.36Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFD121	文件：360.08 Kbytes Page：6 Pages	1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul	HARRIS HARRIS corporation	HARRIS
IRFF121	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors 5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESSGE Solid State GE Solid State	GESS
IRFR121	文件：320.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU121	文件：344.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IS121	文件：662.54 Kbytes Page：6 Pages	HIGHDENSITYMOUNTINGPHOTOTRANSISTOROPTICALLYCOUPLEDISOLATORS DESCRIPTION TheIS121isanopticallycoupledisolatorconsistingofaninfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphototransistorinaspaceefficientdualinlineplasticpackage. FEATURES •MarkedasFPT1. •CurrentTransferRatioMIN.50 •IsolationVoltage(3.75kVRMS,5.3kVPK) •Allel	ISOCOM Isocom Components 2004 LTD	ISOCOM
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
INA121U
功能描述：
仪表放大器 FET-Input Low Power Instrumentation Amp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输入补偿电压：
150 V
最大输入电阻：
10 kOhms
共模抑制比（最小值）：
88 dB
工作电源电压：
2.7 V to 36 V
电源电流：
200 uA
最大工作温度：
+ 125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
MSOP-8
封装：
Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	INA121U	TI	21/22+	DIP	2000	原装现货,可含税交易	询价
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更多INA121U供应商更新时间2024-5-27 14:02:00

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