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IMW65R107M1H	文件：1.46377 Mbytes Page：15 Pages	650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IMW65R107M1HXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IMT65R107M1H	文件：1.45982 Mbytes Page：15 Pages	MOSFET650VCoolSiCªM1SiCTrenchPowerDevice Features •Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf •Superiorgateoxidereliability •Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior •LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature •Increasedavalanchecapability •Compatib	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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更多IMW65R107M1H供应商更新时间2024-6-1 10:22:00