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IMT65R163M1H

MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

Features •Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf •Superiorgateoxidereliability •Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior •LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature •Increasedavalanchecapability •Compatib

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IMT65R163M1HXUMA1

包装:管件 封装/外壳:8-PowerSFN 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:SILICON CARBIDE MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

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IMBG65R163M1H

650VCoolSiC짧M1SiCTrenchPowerDevice

InfineonInfineon Technologies AG

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更多IMT65R163M1H供应商 更新时间2024-6-6 16:10:00