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IKW75N65RH5	文件：1.42393 Mbytes Page：16 Pages	CoolSiC™ Hybrid Discrete - TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiC™ diode Features •VCE=650V •IC=75A •Ultra-lowswitchinglossesduetothecombinationofTRENCHSTOPTM5andCoolSiCTM technology •Benchmarkefficiencyinhardswitchingtopologies •Plug-and-playreplacementofpuresilicondevices •MaximumjunctiontemperatureTvjmax=175°C •Qualifie	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW75N65RH5	文件：1.57237 Mbytes Page：15 Pages	TRENCHSTOPTM 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiCTM Schottky barrier diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW75N65RH5_V01	文件：1.42393 Mbytes Page：16 Pages	CoolSiC™ Hybrid Discrete - TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiC™ diode Features •VCE=650V •IC=75A •Ultra-lowswitchinglossesduetothecombinationofTRENCHSTOPTM5andCoolSiCTM technology •Benchmarkefficiencyinhardswitchingtopologies •Plug-and-playreplacementofpuresilicondevices •MaximumjunctiontemperatureTvjmax=175°C •Qualifie	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW75N65RH5XKSA1	文件：1.42393 Mbytes Page：16 Pages	CoolSiC™ Hybrid Discrete - TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiC™ diode Features •VCE=650V •IC=75A •Ultra-lowswitchinglossesduetothecombinationofTRENCHSTOPTM5andCoolSiCTM technology •Benchmarkefficiencyinhardswitchingtopologies •Plug-and-playreplacementofpuresilicondevices •MaximumjunctiontemperatureTvjmax=175°C •Qualifie	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW75N65RH5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：INDUSTRY 14	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKZA75N65RH5	文件：1.51817 Mbytes Page：15 Pages	TRENCHSTOPTM5H5IGBTco-packedwithhalf-rated6thgenerationCoolSiCTMSchottkybarrierdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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更多IKW75N65RH5供应商更新时间2024-5-21 9:34:00

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