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IKW30N60H3	文件：1.64752 Mbytes Page：16 Pages	High speed Duopack : IGBT in Trench and Fieldstop technology Features: TRENCHSTOP™technologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceMod	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60T	文件：397.74 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60DTP	文件：1.54776 Mbytes Page：16 Pages	600V DuoPack IGBT and diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60H3	文件：2.19193 Mbytes Page：16 Pages	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60H3_14	文件：2.19193 Mbytes Page：16 Pages	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60T	文件：506.16 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60T_15	文件：506.16 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60TA	文件：671.46 Kbytes Page：14 Pages	Designed for DC/AC converters for Automotive Application	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60H3FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 187W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60TAFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60TFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIKW30N60CT	文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AR30N60	文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages	ACTIVE/SYNCHRONOUSRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BIDW30N60T	文件：1.32748 Mbytes Page：10 Pages	BIDW30N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW30N60TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
DAM30N60C	文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM30N60F	文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM30N60S	文件：242.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FGA30N60LSD	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsandbipolartransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA30N60LSDTU	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsandbipolartransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH30N60LSD	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
IKW30N60
功能描述：
IGBT 晶体管 600V 30A 187W
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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