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IKD15N60RA分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IKD15N60RA |
| 参数属性 | IKD15N60RA 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 600V 30A 250W TO252-3 |
| 功能描述 | 600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications |
| 文件大小 |
2.18041 Mbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-15 14:18:00 |
IKD15N60RA规格书详情
IKD15N60RA属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的IKD15N60RA晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
IKD15N60RAATMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，15A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
16ns/183ns
- 测试条件：
400V，15A，15 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
PG-TO252-3
- 描述：
IGBT 600V 30A 250W TO252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
车规-元器件 |
9328 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
22+ |
TO252-3 |
25000 |
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询价 | ||
原装正品 |
23+ |
TO-252 |
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Infineon/英飞凌 |
22+ |
TO252-3 |
6000 |
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INFINEON |
23+ |
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Infineon |
7589 |
只做正品 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO252-3 |
93600 |
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Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO252-3 |
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Infineon Technologies |
23+ |
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5000 |
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询价 | ||
23+ |
N/A |
96000 |
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询价 |
