IGW30N60TP资料使用说明书批发供应英飞凌-114ic电子网

首页 >IGW30N60TP>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
IGW30N60TP	文件：1.46499 Mbytes Page：14 Pages	TRENCHSTOPTM Performance technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW30N60TPXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIKW30N60CT	文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AR30N60	文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages	ACTIVE/SYNCHRONOUSRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BIDW30N60T	文件：1.32748 Mbytes Page：10 Pages	BIDW30N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW30N60TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
DAM30N60C	文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM30N60F	文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM30N60S	文件：242.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FGA30N60LSD	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsandbipolartransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA30N60LSDTU	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsandbipolartransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH30N60LSD	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH30N60LSDTU	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW30N60VD	文件：656.97 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/30A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
G30N60	文件：178.25 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4combinesthebestfeaturesofhighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.ThisIGBTisidealformanyhighvoltageswitchingapplicationsoperatingathighfrequencieswherelowconductionlossesareessential.Thisdevicehasbeen	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G30N60	文件：221.78 Kbytes Page：8 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G30N60	文件：116.91 Kbytes Page：7 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
G30N60	文件：144.62 Kbytes Page：8 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G30N60	文件：105.22 Kbytes Page：7 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
G30N60	文件：191.86 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwith TheHGTG30N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderat	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G30N60	文件：92.78 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

12 3 4 5 6 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IGW30N60TP	Infineon(英飞凌)	23+	TO-247	1076	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	IGW30N60TP	英飞凌	新批次	N/A	1500		询价
深圳中芯器材有限公司	IGW30N60TP	INFINEO	17+	原厂封装	12000	九年诚信经营只售原装正品	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	IGW30N60TP	英飞凌	报价为准	INF	55	国外订货7-10个工作日	询价
深圳市纳立科技有限公司	IGW30N60TP		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
艾睿国际（香港）有限公司	IGW30N60TP	Infineon(英飞凌)	2112+	PG-TO247-3	115000	240个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
利广微科技（深圳)有限公司	IGW30N60TP	INFINEON/英飞凌		标准封装	57218	一级代理原装正品现货期货均可订购	询价
深圳市晴轩时代电子有限公司	IGW30N60TP	Infineon/英飞凌	21+	PG-TO247-3	8800	公司只作原装正品	询价
深圳市杰顺创科技有限公司	IGW30N60TP	Infineon/英飞凌	21+	PG-TO247-3	6000	原装现货正品	询价
深圳市珩瑞科技有限公司	IGW30N60TP	Infineon/英飞凌	21+	PG-TO247-3	10000	原装,品质保证,请来电咨询	询价

更多IGW30N60TP供应商更新时间2024-6-6 8:28:00

相关规格书

相关库存