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IGCM06B60HA	文件：1.15212 Mbytes Page：16 Pages	Control Integrated POwer System	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGCM06B60HA_15	文件：1.15212 Mbytes Page：16 Pages	Control Integrated POwer System	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGCM06B60HA_16	文件：1.14669 Mbytes Page：16 Pages	Control Integrated POwer System	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGCM06B60HAXKMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：24-PowerDIP 模块（1.028"，26.10mm）类别：分立半导体产品功率驱动器模块描述：IGBT 600V 24MDIP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
ECF06B60	文件：207.58 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
ECF06B60-F	文件：882.68 Kbytes Page：6 Pages	FastRecoveryDiode	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社	KSS
ECF06B60-F	文件：213.25 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
ECU06B60	文件：60.82 Kbytes Page：5 Pages	FRD-LowPowerLoss	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
ECU06B60-F	文件：868.45 Kbytes Page：7 Pages	FastRecoveryDiode	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社	KSS
ECU06B60-F	文件：176.38 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
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详细参数

型号：
IGCM06B60HA
功能描述：
IGBT 模块 MINI DUAL-IN-LINE 6A600V W/INPUT BRDGE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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