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IDT71V428S12YYYGI	文件：76.67 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (1M x 4-Bit) Description TheIDT71V428isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas1Mx4.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V428S12Y	文件：19.99 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSSTATICRAM4MEG(1Mx4-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71V428isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas1Mx4.ItisfabricatedusingIDT’shighperfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V428S12YYYG	文件：76.67 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(1Mx4-Bit) Description TheIDT71V428isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas1Mx4.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (1M x 4-Bit)

Description TheIDT71V428isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas1Mx4.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh

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3.3VCMOSSTATICRAM4MEG(1Mx4-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71V428isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas1Mx4.ItisfabricatedusingIDT’shighperfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh

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更多IDT71V428S12YYYGI供应商更新时间2024-6-18 9:02:00

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