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IDT71V416VL10BEG	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416VL10BEGI	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416VL10BEGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71V416VL10BEGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71V416VL10PHG	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416VL10PHGI	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416VL10YG	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416VL10YGI	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

详细参数

型号：
IDT71V416VL10BEG
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
576
系列：
- 格式 -
存储器：
闪存
存储器类型：
闪存 - NAND
存储容量：
512M（64M x 8）
速度：
-
接口：
并联
电源电压：
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
供应商设备封装：
48-TSOP
包装：
托盘
其它名称：
497-5040

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