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IDT71V016SA10PH	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
IDT71V016SA10PH8	文件：100.78 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Description TheIDT71V016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
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71V016SA10BF	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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71V016SA10BFG	文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
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71V016SA10YG	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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产品属性

产品编号：
IDT71V016SA10PH
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

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