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71T75602S100BGI8	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75602S100BGI8	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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71T75602S100BGI8

文件：260.17 Kbytes

Page：26 Pages

2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

71T75602S100BGI8

文件：348.97 Kbytes

Page：28 Pages

512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
IDT71T75602S100BGI8
功能描述：
IC SRAM 18MBIT 100MHZ 119BGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
45
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
128K（8K x 16）
速度：
15ns
接口：
并联
电源电压：
3 V ~ 3.6 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
100-LQFP
供应商设备封装：
100-TQFP（14x14）
包装：
托盘
其它名称：
70V25S15PF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IDT71T75602S100BGI8	IDT	23+	119-PBGA(14x22)	9550	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
深圳市兴灿科技有限公司	IDT71T75602S100BGI8	IDT	23+	119-BGA	4960	原装现货	询价
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更多IDT71T75602S100BGI8供应商更新时间2024-4-29 16:39:00

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