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IDT71256L35Y中文资料PDF规格书
厂商型号 |
IDT71256L35Y |
参数属性 | IDT71256L35Y 封装/外壳为28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
功能描述 | CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
文件大小 |
78.12 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企业简称 |
IDT【集成器】 |
中文名称 | 深圳市集成器件技术有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-21 17:39:00 |
IDT71256L35Y规格书详情
DESCRIPTION:
The IDT71256 is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high
performance, high-reliability CMOS technology.
FEATURES:
• High-speed address/chip select time
— Military: 25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns (max.)
— Commercial: 20/25/35/45ns (max.) Low Power only.
• Low-power operation
• Battery Backup operation — 2V data retention
• Produced with advanced high-performance CMOS technology
• Input and output directly TTL-compatible
• Available in standard 28-pin (300 or 600 mil) ceramic DIP, 28-pin (600 mil) plastic DIP, 28-pin (300 mil) SOJ and 32-pin LCC
• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B
产品属性
- 产品编号:
IDT71256L35Y
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
256Kb(32K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
35ns
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)
- 供应商器件封装:
28-SOJ
- 描述:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT/Integrated Device Technolo |
21+ |
SOJ |
3501 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IDT |
23+ |
28300MILSOJ |
9526 |
询价 | |||
IDT |
22+ |
SOJ-28 |
4650 |
询价 | |||
IDT |
23+ |
SOJ-28 |
90000 |
只做原装 全系列供应 价格优势 可开增票 |
询价 | ||
IDT |
22+ |
28SOJ |
9000 |
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询价 | ||
IDT |
23+ |
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IDT |
19+ |
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IDT |
2000 |
150 |
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IDT |
05+ |
原厂原装 |
4328 |
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IDT |
23+ |
28SOJ |
9000 |
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询价 |