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IDT71016S12Y	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71016S12Y	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71016S12YG	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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71016S12PHG	文件：41.94 Kbytes Page：1 Pages	PLEASECHECKWWW.MOLEX.COMFORLATESTPARTINFORMATION	MolexMolex Incorporated 莫仕美国莫仕公司	Molex
71016S12PHG	文件：201.15 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71016S12YG	文件：201.15 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71016S12PH	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71016S12PHG	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71016S12PHGI	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71016S12PHI	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

产品属性

产品编号：
IDT71016S12Y
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

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