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70V3589S166BC	文件：341.43 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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70V3589S166DRGI	文件：246.24 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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IDT70V3589S166BCI	文件：356.01 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70V3589S166BF	文件：356.01 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70V3589S166BFI	文件：356.01 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70V3589S166DR	文件：356.01 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70V3589S166DRI	文件：356.01 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

详细参数

型号：
IDT70V3589S166BCG
功能描述：
IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
2,500
系列：
- 格式 -
存储器：
EEPROMs - 串行
存储器类型：
EEPROM
存储容量：
1K(128 x 8)
速度：
100kHz
接口：
UNI/O?（单线）
电源电压：
1.8 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
供应商设备封装：
8-MSOP
包装：
带卷(TR)

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