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70V3319S133BC8	文件：544.14 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V256/128Kx18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode –DuetolimitedpincountP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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70V3319S133BC8

文件：544.14 Kbytes

Page：24 Pages

HIGH-SPEED3.3V256/128Kx18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode –DuetolimitedpincountP

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
IDT70V3319S133BC8
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
3,000
系列：
- 格式 -
存储器：
EEPROMs - 串行
存储器类型：
EEPROM
存储容量：
8K(1K x 8)
速度：
400kHz
接口：
I²C，2 线串口
电源电压：
1.7 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC
包装：
带卷(TR)

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更多IDT70V3319S133BC8供应商更新时间2024-5-3 16:30:00

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