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IDT70T631S12BFI	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S12BC	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T631S12BCG	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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70T631S12BCI	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T631S12BF	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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70T631S12BFGI	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T631S12BFI	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT70T631S12BC	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T631S12BCI	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T631S12BF	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T631S12DD	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T631S12DDI	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

详细参数

型号：
IDT70T631S12BFI
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
3,000
系列：
- 格式 -
存储器：
EEPROMs - 串行
存储器类型：
EEPROM
存储容量：
8K(1K x 8)
速度：
400kHz
接口：
I²C，2 线串口
电源电压：
1.7 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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