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IDT70T3539M	文件：421.01 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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IDT70T3539MS166BC	文件：421.01 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T3539MS166BCI	文件：421.01 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T3539MS999BC	文件：421.01 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T3539MS999BCI	文件：421.01 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T3539M	文件：642.93 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeatf	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
IDT70T3539M
功能描述：
IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
3,000
系列：
- 格式 -
存储器：
EEPROMs - 串行
存储器类型：
EEPROM
存储容量：
32K(4K x 8)
速度：
100kHz，400kHz
接口：
I²C，2 线串口
电源电压：
2.5 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC
包装：
带卷(TR)
其它名称：
CAV24C32WE-GT3OSTR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	IDT70T3539M	IDT	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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