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IDT6116SA35TP	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT6116SA35TPI	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT6116SA35Y	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT6116SA35YI	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

详细参数

型号：
IDT6116SA35SOG
功能描述：
IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
72
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 同步
存储容量：
4.5M（256K x 18）
速度：
133MHz
接口：
并联
电源电压：
3.135 V ~ 3.465 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
100-LQFP
供应商设备封装：
100-TQFP（14x20）
包装：
托盘

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