选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市智芯远电子有限公司3年
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IDTSOP |
58560 |
22+ |
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代理品牌,原装现货,假一罚十 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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IDTSOP24 |
2650 |
22+ |
原装优势!绝对公司现货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
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IDTSOP |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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IDT原厂原装 |
4841 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
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IDTSOP/24 |
8200 |
1922+ |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
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IDTNA |
2630 |
21+ |
十年专营原装现货,假一赔十 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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IDT24SOIC |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
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IDTSOP |
40401 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
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IDT24-SOIC |
9550 |
23+ |
专业分销产品!原装正品!价格优势! |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
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IDTSMD |
550 |
价格优势!军工IC一级分销商!可开增值税发票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IDTSOP |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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IDTSOP |
5000 |
22+ |
全新原装现货!自家库存! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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IDT24SOIC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
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IDTSOP24 |
6010 |
2021+ |
百分百原装正品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IDT |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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IDT24SOIC |
9526 |
23+ |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
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IDTNA |
2630 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IDTSOP |
532 |
23+ |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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IDTNA |
2630 |
13+ |
全新进口原装 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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IDTNA/ |
532 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
IDT6116LA35SO采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IDT6116LA35SO图片
IDT6116LA35SO中文资料Alldatasheet PDF
更多IDT6116LA35SO功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT6116LA35SO/2316功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷(TR)
IDT6116LA35SO8功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT6116LA35SOB制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K(2K x 8 BIT)
IDT6116LA35SOG功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT6116LA35SOG8功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT6116LA35SOGI功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT6116LA35SOGI8功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT6116LA35SOI制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K(2K x 8 BIT)
产品属性
- 产品编号:
IDT6116LA35SO
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
16Kb(2K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
35ns
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:
24-SOIC
- 描述:
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC