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IDH20G120C5	文件：887.64 Kbytes Page：10 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDH20G120C5_15	文件：887.64 Kbytes Page：10 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDH20G120C5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-2 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 56A TO220-2	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDK20G120C5	文件：1.05054 Mbytes Page：12 Pages	5thGenerationCoolSiCTM1200VSchottkyDiode Features Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide Noreverserecoverycurrent/noforwardrecovery Temperatureindependentswitchingbehaviour Lowforwardvoltageevenathighoperatingtemperature Tightforwardvoltagedistribution Excellentthermalperformance 	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDW20G120C5B	文件：593.52 Kbytes Page：10 Pages	Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDWD20G120C5	文件：1.07604 Mbytes Page：12 Pages	5thGenerationCoolSiCTM1200VSchottkyDiode Features Noreverserecoverycurrent/noforwardrecovery Highsurgecurrentcapability Temperatureindependentswitchingbehaviour Lowforwardvoltageevenathighoperatingtemperature Tightforwardvoltagedistribution Specifieddv/dtruggedness Pb-freeleadplating;RoHS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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