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IDD03SG60C	文件：270.15 Kbytes Page：7 Pages	3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDD03SG60C_13	文件：762.54 Kbytes Page：7 Pages	3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDD03SG60CXTMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDD03SG60CXTMA2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDH03SG60C	文件：242.22 Kbytes Page：7 Pages	3rdGenerationthinQ!TMSiCSchottkyDiode Features •Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide •Switchingbehaviorbenchmark •Noreverserecovery/Noforwardrecovery •Temperatureindependentswitchingbehavior •Highsurgecurrentcapability •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)f	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDH03SG60C	文件：550.68 Kbytes Page：7 Pages	3rdGenerationthinQ!TMSiCSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
IDD03SG60C
功能描述：
肖特基二极管与整流器 SIC DIODEN
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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