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BC868	文件：2.12979 Mbytes Page：23 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Twocurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC868	文件：1.11315 Mbytes Page：24 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC868	文件：638.06 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Lowvoltage,highcurrent,ComplementarytoBC869. Applications Generalpurposeswitchingandamplification,suchasaudiooutputstages.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BC868	文件：1.18878 Mbytes Page：23 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC868	文件：337.16 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highcurrent ●Lowvoltage	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
BC868	文件：143.64 Kbytes Page：3 Pages	NPNmediumpowerTransistor FEATURES ●Twocurrentgainselections. ●Highcurrent. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●Powerapplicationssuchasaudiooutputstages. ●ComplememttoBC869.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC868	文件：1.46887 Mbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateNPNTransistors FEATURES •Highcurrent：1A •PDPowerDissipation:500mW	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC868	文件：409.95 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highcurrent ●Lowvoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC868	文件：43.03 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistor DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT89plasticpackage.PNPcomplement:BC869. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.20V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Powerapplicationssuchasaudiooutputstages.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC868	文件：27.84 Kbytes Page：1 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES SUITABLEFORGENERALAFAPPLICATIONSANDCLASSB AUDIOOUTPUTSTAGESUPTO3W HIGHhFEANDLOWSATURATIONVOLTAGE COMPLEMENTARYTYPE-BC869 PARTMARKINGDETAILS–BC868-CAC BC868-16-CCC	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BC868	文件：1.42668 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Highcurrent Lowvoltage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC868	文件：593.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistor Features ●Lowsaturationvoltage ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
BC868	文件：1.21114 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highcurrent ●Lowvoltage	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BC868	文件：173.48 Kbytes Page：12 Pages	NPNmediumpowertransistor20V,1A	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC868	文件：53.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNMediumPowerTransistor Features ●Highcurrent ●Twocurrentgainselections ●1.2Wtotalpowerdissipation.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC868	文件：155.6 Kbytes Page：9 Pages	NPNmediumpowertransistor; Generaldescription NPNmediumpowertransistorseriesinSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC868-CAC	文件：27.84 Kbytes Page：1 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES SUITABLEFORGENERALAFAPPLICATIONSANDCLASSB AUDIOOUTPUTSTAGESUPTO3W HIGHhFEANDLOWSATURATIONVOLTAGE COMPLEMENTARYTYPE-BC869 PARTMARKINGDETAILS–BC868-CAC BC868-16-CCC	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BC868-Q	文件：235.48 Kbytes Page：12 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Twocurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC868-Q_SER	文件：235.48 Kbytes Page：12 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Twocurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BD868XXMUF-C	文件：956.75 Kbytes Page：10 Pages	AutomotivePowerManagementICPMICforAutomotiveCamera GeneralDescription ThePMICBD868XXMUF-Cseriesconsistsofprimary DCDC,dualsecondaryDCDC,secondarylinerregulator forCMOSsensor,andimagesensingpowersupply. ThisICisoptimalforcameramodule,whichrequires smallboardwithsmallpackageVQFN20FV3535. ThisIChasthespread	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
IB868E
制造商：
IBase Technology(USA) Inc.
功能描述：
FS, SOCKET 479 PENTIUM/CELERON M, PICMG 1.3, 915GME+ICH6M , - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IB868E供应商更新时间2024-6-1 15:00:00

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