选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
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iscDPAK/TO-252 |
750 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
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stTO-252 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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IXYS-艾赛斯TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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IXTY05N100图片
IXTY05N100中文资料Alldatasheet PDF
更多IXTY05N100功能描述:MOSFET Legacy MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube