选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO3P |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-3P |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO3P |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-3P |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO3P |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-3P |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-3P-3,SC-65-3 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯22+ |
6000 |
TO-3P |
十年配单,只做原装 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
IXGQ50N60C4D1采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGQ50N60C4D1图片
IXGQ50N60C4D1中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGQ50N60C4D1功能描述:IGBT 模块 PT Trench IGBTs Power Device RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
产品属性
- 产品编号:
IXGQ50N60C4D1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,36A
- 开关能量:
950µJ(开),840µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
40ns/270ns
- 测试条件:
400V,36A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商器件封装:
TO-3P
- 描述:
IGBT 600V 90A 300W TO3P