选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYSTO3P |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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IXYSTO-3P |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYSTO3P |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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IXYSTO-3P |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
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IXYSTO3P |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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IXYSTO-3P |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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IXYSNA |
18 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYSTO3P |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-3P-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-3P |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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IXYSTO-3P |
326 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYSTO3P |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
IXGQ150N30TC采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGQ150N30TC图片
IXGQ150N30TCD1中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGQ150N30TC功能描述:IGBT 晶体管 150 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGQ150N30TCD1功能描述:IGBT 晶体管 150 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXGQ150N30TC
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 输入类型:
标准
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商器件封装:
TO-3P
- 描述:
IGBT 300V 150A TO3P