选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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IXYS/艾赛斯TO220 |
13888 |
23+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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IXYS/艾赛斯NA/ |
13888 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IXYS/艾赛斯TO220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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IXYS-艾赛斯TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-220-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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IXYS/艾赛斯TO-220AB |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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IXYSTO220 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYSTO220AB |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
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IXYSTO220AB |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-TO-220AB |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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IXYSTO-220 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
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IXYSTO-220 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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IXYSNA |
18 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-TO-220AB |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-220AB |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO220 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
IXGP30N60C采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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IXGP30N60C3D4价格
IXGP30N60C3D4价格:¥11.7879品牌:Ixys
生产厂家品牌为Ixys的IXGP30N60C3D4多少钱,想知道IXGP30N60C3D4价格是多少?参考价:¥11.7879。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXGP30N60C3D4批发价格及采购报价,IXGP30N60C3D4销售排行榜及行情走势,IXGP30N60C3D4报价。
IXGP30N60C3功率三极管中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGP30N60C2功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGP30N60C3功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGP30N60C3C1功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGP30N60C3D4功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube