选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯PDFN-5X6 |
30 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市亿威盛创科技有限公司1年
留言
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10 |
原装现货 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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IXYS/艾赛斯PDFN-5X6 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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IXYSNA |
18 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳兆威电子有限公司6年
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IXYS/艾赛斯TO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-220 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-220-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYSTO220AB |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IXYSTO-220 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-TO-220 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO220AB |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-220 |
326 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36000 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO220AB |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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IXYS/艾赛斯PDFN-5X6 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
IXGP20N120采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGP20N120图片
IXGP20N120价格
IXGP20N120价格:¥0.0000品牌:IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGP20N120多少钱,想知道IXGP20N120价格是多少?参考价:¥0.0000。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXGP20N120批发价格及采购报价,IXGP20N120销售排行榜及行情走势,IXGP20N120报价。
IXGP20N120中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGP20N120功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGP20N120A3功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGP20N120B功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGP20N120B3功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGP20N120BD1功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200 V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXGP20N120
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,20A
- 开关能量:
6.5mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
28ns/400ns
- 测试条件:
800V,20A,47 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 1200V 40A 150W TO220