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深圳市国宇半导体科技有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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IXYSTO220AB

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深圳市芯祺盛科技有限公司

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深圳市惊羽科技有限公司

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IXYS-艾赛斯TO-220-3

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深圳兆威电子有限公司

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IXYS/艾赛斯TO-220

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只做原厂渠道价格优势可提供技术支持

深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市特顺芯科技有限公司

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IXYSTO-220

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深圳市威尔健半导体有限公司

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NEXPERIA/安世SOT89

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终端可以免费供样,支持BOM配单!

深圳市百视威讯电子科技有限公司

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正品授权货源可靠

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IXYSTO-TO-220

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深圳市芯福林电子科技有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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IXYS/艾赛斯TO-220

25000

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只做原装进口现货,专注配单

易创佳业科技(深圳)有限公司

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IXYS/艾赛斯TO-220

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IXYSTO-TO-220

12300

24+

独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

深圳市国宇半导体科技有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市芯祺盛科技有限公司

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深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品!

深圳市汇莱威科技有限公司

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IXYSTO-220

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深圳市惊羽科技有限公司

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IXYS-艾赛斯TO-220-3

78800

24+25+/26+27+

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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

中科航电(深圳)半导体技术有限公司

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IXYSTO-220AB

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IXGP16N60B2D1中文资料Alldatasheet PDF

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IXGP16N60B2功能描述:IGBT 晶体管 16 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXGP16N60B2D1功能描述:IGBT 晶体管 16 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    IXGP16N60B2

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    160µJ(开),120µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    18ns/73ns

  • 测试条件:

    400V,12A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 150W TO220