选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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IXYSSOT-227B |
1000 |
19+/20+ |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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2 |
2013+ |
公司原装现货,热卖中! |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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IXYS模块 |
2000 |
05+ |
公司原装现货 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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2 |
2013+ |
公司原装现货,热卖中! |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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2 |
2013+ |
公司原装现货,热卖中! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IXYSMODULE |
2100 |
16+ |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSSOT227B |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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IXYS模块 |
3562 |
23+ |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
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IXYSMODULE |
70802 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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IXYS面议 |
19 |
6000 |
 专营模块 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSSOT227B |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IXYSSMD |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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华富测量(深圳)传感技术有限公司7年
留言
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原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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IXYS模块 |
300 |
2018 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
45880 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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IXYSSOT-227B |
56800 |
19+ |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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IXYS60A600VI |
420 |
23+ |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯SOT-227B |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSSOT227B |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYSSOT227B |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
IXGN60采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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IXGN60N60C2D1资讯
IXGN60N60C2D1产品详细规格/中文参数/免费资料下载
深圳市亚泰盈科电子有限公司(需要具体规格书请联系)联系人:黄先生电话:0755-83753010QQ:2355705584地址:深圳市佳和大厦A座2101进口原装,原厂直接出货,去除中间成本直接给到最低价格,平均价格比市场便宜10%
IXGN60N60 全新进口原装现货
IXGN60N60全新进口原装现货 http://zlc02.114ic.com 联系方式: QQ:365519744/1834163485 Tel:0755-83959691
IXGN60N60C2D1中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGN60N60功能描述:IGBT 晶体管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN60N60C2功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN60N60C2D1功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube