| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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IXYSTO-204AE |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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IXGM17N100图片
IXGM17N100A中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGM17N100功能描述:IGBT 晶体管 34 Amps 1000V 3.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGM17N100A制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
