选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-264 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO264 (IXGK) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-264 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-3PL |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSTO264 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-264 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO264 (IXGK) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-3PL |
548 |
23+ |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-3PL |
548 |
23+ |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-264 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-264 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-264 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO264 (IXGK) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-264AA |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO264 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO264 (IXGK) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
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IXYSTO-3PL |
18000 |
23+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯NA/ |
3821 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-264 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
IXGK50N60B采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGK50N60B图片
IXGK50N60BD1价格
IXGK50N60BD1价格:¥0.0000品牌:IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGK50N60BD1多少钱,想知道IXGK50N60BD1价格是多少?参考价:¥0.0000。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXGK50N60BD1批发价格及采购报价,IXGK50N60BD1销售排行榜及行情走势,IXGK50N60BD1报价。
IXGK50N60B2D1其他三极管中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGK50N60B功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGK50N60B2D1功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGK50N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGK50N60BU1功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXGK50N60B
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
HiPerFAST™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,50A
- 开关能量:
3mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
50ns/150ns
- 测试条件:
480V,50A,2.7 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-264-3,TO-264AA
- 供应商器件封装:
TO-264(IXGK)
- 描述:
IGBT 600V 75A 300W TO264