选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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IXYSorigina |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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IXYSorigina |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
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IXYSModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
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IXYSModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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IXYSTO-247-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
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Littelfuse/IXYSTO-247 |
4500 |
新批次 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Littelfuse/IXYSTO-247 |
928 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
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IXYSNA |
10658 |
23+ |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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IXYS/艾赛斯TO247 |
1709 |
21+ |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
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IXYS/艾赛斯TO247 |
15000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
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IXYS/艾赛斯TO247 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
5590 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IXYSTO-247 |
9960 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳兆威电子有限公司6年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳兆威电子有限公司11年
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IXYS/艾赛斯TO247 |
29380 |
22+ |
原装正品现货 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
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IXYSNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
IXGH60N60C采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGH60N60C图片
IXGH60N60C3价格
IXGH60N60C3价格:¥19.5010品牌:Ixys
生产厂家品牌为Ixys的IXGH60N60C3多少钱,想知道IXGH60N60C3价格是多少?参考价:¥19.5010。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXGH60N60C3批发价格及采购报价,IXGH60N60C3销售排行榜及行情走势,IXGH60N60C3报价。
IXGH60N60C3D中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH60N60C2功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH60N60C3功能描述:IGBT 晶体管 GenX3 600V IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH60N60C3D1功能描述:MOSFET 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube