| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市富诚威科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
2769 |
22+ |
绝对原装!公司现货! |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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IXYSModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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IXYSorigina |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IXYSorigina |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
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IXYSTO-247 |
1300 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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IXYSTO-247 |
109 |
00+ |
全新原装 实单必成 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IXYSTO247 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO247 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IXYSTO-3P |
9860 |
23+24 |
原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
IXGH60N60采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGH60N60图片
IXGH60N60C3价格
IXGH60N60C3价格：￥19.5010品牌：Ixys
生产厂家品牌为Ixys的IXGH60N60C3多少钱，想知道IXGH60N60C3价格是多少？参考价：￥19.5010。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXGH60N60C3批发价格及采购报价，IXGH60N60C3销售排行榜及行情走势，IXGH60N60C3报价。
IXGH60N60中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH60N60功能描述:IGBT 晶体管 HIGH SPEED IGBT N-CHAN 600V 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH60N60A功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH60N60B2功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH60N60C2功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH60N60C3功能描述:IGBT 晶体管 GenX3 600V IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH60N60C3D1功能描述:MOSFET 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXGH60N60
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，60A
- 开关能量：
8mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/300ns
- 测试条件：
480V，60A，2.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 75A 300W TO247AD
