| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
13888 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯NA/ |
17138 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO247 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IXYSTO247 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-247 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
5540 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IXYSTO3P |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IXYSTO-3P |
70819 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IXYSTO-247 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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IXYSTO-247 |
6896 |
1923+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
12588 |
21+ |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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IXGH50N60B价格
IXGH50N60B价格：￥0.0000品牌：IXYS
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IXGH50N60B中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH50N60A功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH50N60AS制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT - Surface Mountable
IXGH50N60B功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH50N60B2功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH50N60B4制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High-Gain IGBTs
IXGH50N60BS功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD
IXGH50N60C2功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH50N60C4功能描述:IGBT 模块 High-Gain IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
