选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
49300 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IXYS/IXYS Integrated CircuitsTO-247 |
207 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-247 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IXYSTO247 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
1377 |
23+ |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
1377 |
23+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
90000 |
23+ |
只做原装 全系列供应 价格优势 可开增票 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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IXYSTO-247AD(IXGH) |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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IXYSTO-3P |
19 |
9636+ |
现货 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
2100 |
16+ |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IXTO |
200 |
00+ |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
3000 |
20+ |
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IXGH32N60B采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGH32N60B图片
IXGH32N60B中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH32N60B功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH32N60B_03制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGH32N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH32N60BS功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
IXGH32N60BU1功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH32N60BU1S功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
产品属性
- 产品编号:
IXGH32N60B
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
HiPerFAST™
- 包装:
卷带(TR)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,32A
- 开关能量:
800µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/100ns
- 测试条件:
480V,32A,4.7 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 600V 60A 200W TO247AD