选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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IXYSModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
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IXYSTO247AD (IXGH) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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IXYS/艾赛斯NA/ |
5425 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IXYSTO-247 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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IXYSNA |
18 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-247 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYSTO-247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
5425 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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IXYSTO-247 |
1675 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
5425 |
23+ |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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N/A |
59510 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
IXGH30N60C3采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGH30N60C3图片
IXGH30N60C3C1价格
IXGH30N60C3C1价格:¥122.0997品牌:IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGH30N60C3C1多少钱,想知道IXGH30N60C3C1价格是多少?参考价:¥122.0997。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXGH30N60C3C1批发价格及采购报价,IXGH30N60C3C1销售排行榜及行情走势,IXGH30N60C3C1报价。
IXGH30N60C3中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH30N60C3功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXGH30N60C3C1功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N60C3D1功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
产品属性
- 产品编号:
IXGH30N60C3
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
GenX3™
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,20A
- 开关能量:
270µJ(开),90µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
16ns/42ns
- 测试条件:
300V,20A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 600V 60A 220W TO247AD