| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
257 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IXYSTO247 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯NA/ |
257 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IXYSTO247 |
257 |
0441+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市星佑电子有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
6000 |
21+ |
全新原装 公司现货 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IXYS/IXYS Integrated CircuitsTO-247 |
1061 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
6893 |
2023+ |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
257 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IXYSTO247 |
5562 |
2016+ |
只做进口原装现货!或订货!假一赔十! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IXYSTO247 |
8550 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO247 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IXYSTO247 |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
IXGH30N60C2采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGH30N60C2图片
IXGH30N60C2中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH30N60C2功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N60C2D1功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N60C2D1SN制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXGH30N60C2D4功能描述:IGBT 晶体管 G-series A2,B2,C2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXGH30N60C2
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
HiPerFAST™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，24A
- 开关能量：
290µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
13ns/70ns
- 测试条件：
400V，24A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 70A 190W TO247
