| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-252 |
40 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46580 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯NA/ |
17138 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IXYSTO247 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
1300 |
23+ |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
1300 |
23+ |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
13888 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO247 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
IXGH30N60B采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGH30N60B图片
IXGH30N60BD1价格
IXGH30N60BD1价格：￥63.9082品牌：IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGH30N60BD1多少钱，想知道IXGH30N60BD1价格是多少？参考价：￥63.9082。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXGH30N60BD1批发价格及采购报价，IXGH30N60BD1销售排行榜及行情走势，IXGH30N60BD1报价。
IXGH30N60B中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH30N60B功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N60B2功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N60B2D1功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N60B4功能描述:IGBT 模块 High-Gain IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXGH30N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N60BU1功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXGH30N60B
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
HiPerFAST™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，30A
- 开关能量：
1.3mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/130ns
- 测试条件：
480V，30A，4.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
