选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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IXYSModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-252 |
40 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IXYSTO-247 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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IXYSTO-247AD-3 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247-3 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IXYS/艾赛斯TO-247-3 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
45880 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IXYSTO-247 |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
1298 |
23+ |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
1298 |
23+ |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247-3 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247-3 |
20000 |
23+ |
原装正品 欢迎咨询 |
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深圳兆威电子有限公司6年
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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IXYS/艾赛斯NA/ |
35 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
IXGH30N60采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGH30N60图片
IXGH30N60C3C1价格
IXGH30N60C3C1价格:¥122.0997品牌:IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGH30N60C3C1多少钱,想知道IXGH30N60C3C1价格是多少?参考价:¥122.0997。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXGH30N60C3C1批发价格及采购报价,IXGH30N60C3C1销售排行榜及行情走势,IXGH30N60C3C1报价。
IXGH30N60中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH30N60制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60A功能描述:MOSFET 60 Amps 600V 2.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXGH30N60AU1制造商:IXYS 功能描述:Bulk
IXGH30N60B功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N60B2功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N60B2D1功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N60B4功能描述:IGBT 模块 High-Gain IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXGH30N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N60BU1功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N60C2功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube