| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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IXYS/LITTELFUSETO-247 |
780 |
23+ |
只做原装提供一站式配套供货中利达 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-247 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYSTO-247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
5540 |
23+ |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
35800 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯NA/ |
5540 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IXYSTO-247 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IXYSTO-247 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
5540 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IXYSTO-247 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
5540 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
IXGH28N60B采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGH28N60B图片
IXGH28N60B3D1价格
IXGH28N60B3D1价格：￥20.7380品牌：Ixys
生产厂家品牌为Ixys的IXGH28N60B3D1多少钱，想知道IXGH28N60B3D1价格是多少？参考价：￥20.7380。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXGH28N60B3D1批发价格及采购报价，IXGH28N60B3D1销售排行榜及行情走势，IXGH28N60B3D1报价。
IXGH28N60B中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH28N60B功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH28N60B3D1功能描述:MOSFET 28 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXGH28N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXGH28N60B
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，28A
- 开关能量：
2mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/175ns
- 测试条件：
480V，28A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 40A 150W TO247AD
