| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
46280 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
IXYSTO-247 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
IXYS/艾赛斯NA/ |
8675 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
IXYS/艾赛斯TO-247 |
5425 |
23+ |
||||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IXYSTO247 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
IXYS/艾赛斯TO-247 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
|
IXYSTO247AD (IXGH) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
|||
|
深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
|
IXYSTO-247 |
1344 |
23+ |
||||
|
深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
|
IXYSTO-247 |
1344 |
23+ |
||||
|
深圳市芯为科技有限公司5年
留言
|
IXYSTO-247 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
|||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
IXYS/艾赛斯TO-247 |
5425 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IXYSTO-247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
|
IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
IXYSTO-247 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
TO-247 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
IXYSTO-247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
|
深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
|
IXYSNA |
18 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
|
深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
|
IXYS/艾赛斯TO-247 |
5425 |
23+ |
公司只做原装正品 |
IXGH25N120采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGH25N120图片
IXGH25N120中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH25N120功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH25N120A功能描述:IGBT 晶体管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXGH25N120
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，25A
- 开关能量：
11mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
100ns/650ns
- 测试条件：
960V，25A，33 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 50A 200W TO247AD
